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MCP662T-E/SN、MCP652-E/SN、MCP662-E/SN对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MCP662T-E/SN MCP652-E/SN MCP662-E/SN

描述 60兆赫, 6毫安运算放大器 60 MHz, 6 mA Op AmpsMCP651/652/653/654/655/659 Operational Amplifiers### 运算放大器,MicrochipMICROCHIP  MCP662-E/SN  运算放大器, 双路, AEC-Q100, 60 MHz, 2个放大器, 32 V/µs, 2.5V 至 5.5V, SOIC, 8 引脚

数据手册 ---

制造商 Microchip (微芯) Microchip (微芯) Microchip (微芯)

分类 放大器、缓冲器运算放大器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

电源电压(DC) 2.50V (min) 2.50V (min) 2.50V (min)

工作电压 - 2.5V ~ 5.5V 2.5V ~ 5.5V

输出电流 ≤150 mA - ≤150 mA

供电电流 6 mA 6 mA 6 mA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

针脚数 - - 8

共模抑制比 - 65 dB 64 dB

静态电流 - 9 mA 9 mA

输入补偿漂移 2.00 µV/K 2.50 µV/K 2.00 µV/K

带宽 - 50 MHz 60 MHz

转换速率 - 30.0 V/μs 32.0 V/μs

增益频宽积 60 MHz 50 MHz 60 MHz

输入补偿电压 1.8 mV 200 µV 1.8 mV

输入偏置电流 6 pA 6 pA 6 pA

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

增益带宽 - 50 MHz 60 MHz

共模抑制比(Min) 64 dB 65 dB 64 dB

电源电压 - 2.5V ~ 5.5V 2.5V ~ 5.5V

长度 - 4.9 mm 4.9 mm

宽度 - 3.9 mm 3.9 mm

高度 - 1.25 mm 1.25 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Each

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17