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JAN1N4129-1、JANTX1N4129-1、1N4129-1对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JAN1N4129-1 JANTX1N4129-1 1N4129-1

描述 硅500毫安低噪声齐纳二极管 SILICON 500mA LOW NOISE ZENER DIODES硅500毫安低噪声齐纳二极管 SILICON 500mA LOW NOISE ZENER DIODESZener 1.5W DIODE

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Sensitron Semiconductor

分类 齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

封装 DO-213AA-2 DO-204AH -

引脚数 - 2 -

容差 ±5 % ±5 % -

正向电压 1.1V @200mA 1.1V @200mA -

稳压值 62 V 62 V -

耗散功率 - 480 mW -

测试电流 - 0.25 mA -

额定功率(Max) - 500 mW -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

长度 3.7 mm 5.08 mm -

封装 DO-213AA-2 DO-204AH -

工作温度 -65℃ ~ 175℃ -65℃ ~ 175℃ -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bulk Bulk -

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant -

含铅标准 -