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IRFR3709ZTRPBF、IRFR3709ZTRRPBF、IRFR3709Z对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFR3709ZTRPBF IRFR3709ZTRRPBF IRFR3709Z

描述 N沟道,30V,86A,8.2mΩ@4.5VDPAK N-CH 30V 86ADPAK N-CH 30V 86A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

引脚数 3 3 -

额定电压(DC) - - 30.0 V

额定电流 - - 86.0 A

极性 N-CH N-CH N-Channel

耗散功率 79 W 79W (Tc) 79W (Tc)

产品系列 - - IRFR3709Z

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

漏源击穿电压 - - 30.0 V

连续漏极电流(Ids) 86A 86A 86.0 A

上升时间 12 ns 12 ns 12.0 ns

输入电容(Ciss) 2330pF @15V(Vds) 2330pF @15V(Vds) 2330pF @15V(Vds)

耗散功率(Max) 79W (Tc) 79W (Tc) 79W (Tc)

额定功率 79 W 79 W -

针脚数 3 - -

漏源极电阻 0.0052 Ω - -

阈值电压 1.8 V - -

额定功率(Max) 79 W - -

下降时间 3.9 ns 3.9 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

长度 6.5 mm - -

宽度 6.22 mm - -

高度 2.3 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 Contains Lead