NTF3055-100T1G、STN3NF06L、NTF3055L108T1G对比区别

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型号 NTF3055-100T1G STN3NF06L NTF3055L108T1G

描述 ON SEMICONDUCTOR  NTF3055-100T1G  晶体管, MOSFET, N沟道, 3 A, 60 V, 0.088 ohm, 10 V, 3 VSTMICROELECTRONICS  STN3NF06L  晶体管, MOSFET, N沟道, 4 A, 60 V, 0.07 ohm, 10 V, 2.8 VN 通道功率 MOSFET，60V，ON Semiconductor

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 4 4 4

封装 TO-261-4 TO-261-4 TO-261-4

额定电压(DC) 60.0 V 60.0 V 60.0 V

额定电流 3.00 A 4.00 A 3.00 A

针脚数 4 4 4

漏源极电阻 0.088 Ω 0.07 Ω 0.12 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 2.1 W 3.3 W 2.1 W

阈值电压 3 V 2.8 V 1.68 V

输入电容 455 pF - 313pF @25V

栅电荷 22.0 nC - -

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

漏源击穿电压 68 V 60.0 V 68 V

栅源击穿电压 ±20.0 V ±16.0 V ±15.0 V

连续漏极电流(Ids) 3.00 A, 3.00 mA 4.00 A 3.00 A

上升时间 14 ns 25 ns 35 ns

输入电容(Ciss) 455pF @25V(Vds) 340pF @25V(Vds) 440pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 1.3 W 3.3 W 1.3 W

下降时间 13 ns 10 ns 27 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 1.3W (Ta) 3.3W (Tc) 1.3W (Ta)

通道数 - 1 1

额定功率 - 3.3 W -

长度 6.7 mm 6.5 mm 6.5 mm

宽度 3.7 mm 3.5 mm 3.5 mm

高度 1.65 mm 1.8 mm 1.57 mm

封装 TO-261-4 TO-261-4 TO-261-4

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 - EAR99