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IRF7476、IRF7476TRPBF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF7476 IRF7476TRPBF

描述 SOIC N-CH 12V 15AIRF7476TRPBF 编带

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 SO-8 SOIC-8

引脚数 - 8

极性 N-CH N-Channel

耗散功率 2.5W (Ta) 2.5 W

漏源极电压(Vds) 12 V 12 V

连续漏极电流(Ids) 15A 15A

输入电容(Ciss) 2550pF @6V(Vds) 2550pF @6V(Vds)

耗散功率(Max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)

额定功率 - 2.5 W

针脚数 - 8

漏源极电阻 - 0.006 Ω

阈值电压 - 1.9 V

上升时间 - 29 ns

额定功率(Max) - 2.5 W

下降时间 - 8.3 ns

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

封装 SO-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead 无铅