P6SMB36C、P6SMBJ36C、P6SMB36CAHE3/5B对比区别

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型号 P6SMB36C P6SMBJ36C P6SMB36CAHE3/5B

描述 Diode TVS Single Bi-Dir 30.8V 600W 2Pin SMB T/R硅雪崩二极管 - 600W表面贴装瞬态电压抑制器 Silicon Avalanche Diodes - 600W Surface Mount Transient Voltage SuppressorsTRANSZORB® 瞬态电压抑制器 SMT 双向 600W，Vishay Semiconductor薄型 DO-214AA (SMBJ) 封装 极佳的夹持能力 非常快的响应时间 低电阻，带增量浪涌 ### 瞬态电压抑制器，Vishay Semiconductor

数据手册 ---

制造商 Littelfuse (力特) Littelfuse (力特) Vishay Semiconductor (威世)

分类 TVS二极管TVS二极管TVS二极管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - - 2

封装 DO-214AA DO-214AA DO-214AA

击穿电压 36 V - 34.2 V

耗散功率 600 W - 600 W

钳位电压 52 V - 49.9 V

测试电流 - - 1 mA

脉冲峰值功率 600 W 600 W 600 W

最小反向击穿电压 32.4 V 32.4 V 34.2 V

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -65 ℃

工作电压 30.8 V - -

电路数 1 - -

额定电压(DC) - 36.0 V -

额定功率 - 600 W -

长度 - 5.59 mm 4.57 mm

宽度 - 3.94 mm 3.94 mm

高度 - 2.44 mm 2.24 mm

封装 DO-214AA DO-214AA DO-214AA

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape, Bulk Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free