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IRF644SPBF、IRFS4229PBF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF644SPBF IRFS4229PBF

描述 N 通道 MOSFET,200V 至 250V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay SemiconductorINFINEON  IRFS4229PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 45 A, 250 V, 0.042 ohm, 10 V, 5 V

数据手册 --

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3

封装 SMD-263 TO-263-3

针脚数 3 3

漏源极电阻 0.28 Ω 0.042 Ω

极性 N-Channel N-Channel

耗散功率 125 W 330 W

阈值电压 4 V 5 V

漏源极电压(Vds) 250 V 250 V

连续漏极电流(Ids) 14.0 A 45A

输入电容(Ciss) 1300pF @25V(Vds) 4560pF @25V(Vds)

工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 3.1 W 330W (Tc)

额定功率 - 330 W

上升时间 - 31 ns

额定功率(Max) - 330 W

下降时间 - 21 ns

长度 10.67 mm 10.67 mm

宽度 9.65 mm 9.65 mm

高度 4.83 mm 4.83 mm

封装 SMD-263 TO-263-3

包装方式 Tube Tube

产品生命周期 - Not Recommended for New Designs

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17

工作温度 - -40℃ ~ 175℃ (TJ)