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CY62126BVLL-55ZI、IS62WV6416BLL-55TLI、CY62126DV30L-55ZSXE对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CY62126BVLL-55ZI IS62WV6416BLL-55TLI CY62126DV30L-55ZSXE

描述 64K ×16静态RAM 64K x 16 Static RAM1Mb, Low Power/Power Saver,Async,64K X 16,55ns,2.5V 3.6V,44Pin TSOP II, Leadfree1兆位( 64K ×16 )静态RAM 1-Mbit (64K x 16) Static RAM

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Integrated Silicon Solution(ISSI) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 RAM芯片RAM芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

封装 TSOP TSOP-44 TSOP-44

引脚数 - 44 -

存取时间 - 55 ns 55 ns

工作温度(Max) - 85 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃ -40 ℃

电源电压 3.3 V 2.5V ~ 3.6V 2.2V ~ 3.6V

电源电压(DC) - 3.30 V, 3.60 V (max) -

位数 - 16 -

内存容量 - 1000000 B -

存取时间(Max) - 55 ns -

封装 TSOP TSOP-44 TSOP-44

工作温度 - -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 125℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 - Tray Tube

RoHS标准 - RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99 -