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MT46V64M8BN-6 L:F TR、MT46V64M8CY-5B L:J对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MT46V64M8BN-6 L:F TR MT46V64M8CY-5B L:J

描述 DRAM Chip DDR SDRAM 512Mbit 64Mx8 2.5V 60Pin FBGA T/RDRAM Chip DDR SDRAM 512Mbit 64Mx8 2.6V 60Pin FBGA

数据手册 --

制造商 Micron (镁光) Micron (镁光)

分类 存储芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 60 60

封装 FBGA-60 FBGA-60

电源电压(DC) 2.50 V, 2.70 V (max) -

时钟频率 167MHz (max) -

位数 8 8

存取时间 6.00 ns 700 ps

内存容量 512000000 B -

存取时间(Max) 0.7 ns 0.7 ns

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃

电源电压 2.3V ~ 2.7V 2.5V ~ 2.7V

高度 0.85 mm 0.8 mm

封装 FBGA-60 FBGA-60

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead 无铅