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3SM2、JANTXV1N5550、JAN1N5550对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 3SM2 JANTXV1N5550 JAN1N5550

描述 Diode Switching 200V 5A 2Pin Case G-4Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1Element, 3A, 200V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, G4, 2PinDiode Switching 200V 3A 2Pin Case 301

数据手册 ---

制造商 Semtech Corporation Semtech Corporation Sensitron Semiconductor

分类 TVS二极管TVS二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 2 2 2

封装 G-4 G-4 AXIAL DIODE

正向电压 1V @3A - 1.2 V

反向恢复时间 2 µs 2000 ns 2000 ns

正向电流(Max) 5 A 5 A 3 A

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

正向电流 - - 3000 mA

封装 G-4 G-4 AXIAL DIODE

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bulk - -

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free -