IRF6665、IRF6665TRPBF对比区别
型号 IRF6665 IRF6665TRPBF
描述 Direct-FET N-CH 100V 4.2AINFINEON IRF6665TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 19 A, 100 V, 0.053 ohm, 10 V, 5 V 新
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 6 6
封装 DirectFET-SH Direct-FET
通道数 1 -
漏源极电阻 62 mΩ 0.053 Ω
极性 N-CH N-Channel
耗散功率 2.2 W 42 W
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V
漏源击穿电压 100 V -
连续漏极电流(Ids) 4.2A 4.2A
上升时间 2.8 ns 2.8 ns
输入电容(Ciss) 530pF @25V(Vds) 530pF @25V(Vds)
下降时间 4.3 ns 4.3 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) 40 ℃ -40 ℃
耗散功率(Max) 2.2W (Ta), 42W (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc)
额定功率 - 42 W
针脚数 - 6
阈值电压 - 5 V
额定功率(Max) - 2.2 W
产品系列 - -
长度 4.85 mm 4.85 mm
宽度 3.95 mm 3.95 mm
高度 0.7 mm 0.7 mm
封装 DirectFET-SH Direct-FET
材质 Silicon -
工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17