IRF2804SPBF、IRFS3004PBF、IRF1404SPBF对比区别

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型号 IRF2804SPBF IRFS3004PBF IRF1404SPBF

描述 INFINEON  IRF2804SPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 40 V, 2 mohm, 10 V, 4 VINFINEON  IRFS3004PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 195 A, 40 V, 0.0014 ohm, 10 V, 4 VINFINEON  IRF1404SPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 162 A, 40 V, 4 mohm, 10 V, 4 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

额定功率 330 W 380 W 200 W

通道数 1 1 -

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.002 Ω 0.0014 Ω 0.004 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 300 mW 380 W 200 W

阈值电压 4 V 4 V 4 V

输入电容 6450pF @25V - -

漏源极电压(Vds) 40 V 40 V 40 V

漏源击穿电压 40 V - -

连续漏极电流(Ids) 270A 340A 162A

上升时间 120 ns 220 ns 140 ns

输入电容(Ciss) 6450pF @25V(Vds) 9200pF @25V(Vds) 7360pF @25V(Vds)

下降时间 130 ns 130 ns 26 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 300W (Tc) 380000 mW 3.8W (Ta), 200W (Tc)

额定功率(Max) - - 3.8 W

长度 10.67 mm 10.67 mm 10.67 mm

宽度 9.25 mm 9.25 mm 9.65 mm

高度 4.83 mm 4.83 mm 4.83 mm

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17