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UMN11N、UMN11NTN、HN1D02FUTE85N对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 UMN11N UMN11NTN HN1D02FUTE85N

描述 开关二极管 Switching diode开关二极管,ROHM### 二极管和整流器,ROHM SemiconductorDIODE 0.1 A, 4 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode

数据手册 ---

制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ROHM Semiconductor (罗姆半导体) Toshiba (东芝)

分类 功率二极管二极管阵列

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

封装 SOT-363 TSSOP-6 -

引脚数 - 6 -

封装 SOT-363 TSSOP-6 -

长度 - 2 mm -

宽度 - 1.25 mm -

高度 - 0.9 mm -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Lead Free -

额定电压(DC) - 80.0 V -

额定电流 - 100 mA -

电容 - 3.50 pF -

输出电流 - ≤100 mA -

针脚数 - 6 -

正向电压 - 1.2 V -

耗散功率 - 150 mW -

反向恢复时间 - 4 ns -

正向电流 - 300 mA -

最大正向浪涌电流(Ifsm) - 4 A -

正向电压(Max) - 1.2 V -

正向电流(Max) - 100 mA -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

工作结温 - 150℃ (Max) -

耗散功率(Max) - 200 mW -