BSZ0904NSIATMA1、FDMS8672S、BSZ065N03LSATMA1对比区别

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型号 BSZ0904NSIATMA1 FDMS8672S BSZ065N03LSATMA1

描述 INFINEON  BSZ0904NSIATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 30 V, 0.0033 ohm, 10 V, 2 VN沟道的PowerTrench SyncFET 30V ， 35A ， 5mohm N-Channel PowerTrench SyncFET 30V, 35A, 5mohmINFINEON  BSZ065N03LSATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 30 V, 0.0054 ohm, 10 V, 2 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 - 8

封装 TSDSON Power-56-8 PG-TDSON-8

额定功率 37 W - 26 W

通道数 - - 1

针脚数 8 - 8

漏源极电阻 0.0033 Ω - 0.0054 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 37 W 2.5 W 26 W

阈值电压 2 V - 2 V

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

漏源击穿电压 - 30.0 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 18A 35.0 A 12A

上升时间 4.4 ns 17 ns 3.4 ns

输入电容(Ciss) 1100pF @15V(Vds) 2515pF @15V(Vds) 670pF @15V(Vds)

下降时间 3 ns 7 ns 2.4 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2100 mW 2.5W (Ta), 50W (Tc) 26 W

额定电压(DC) - 30.0 V -

额定电流 - 35.0 A -

输入电容 - 2.52 nF -

栅电荷 - 47.0 nC -

额定功率(Max) - 2.5 W -

长度 3.4 mm 6 mm 3.3 mm

宽度 3.4 mm 5 mm 3.3 mm

高度 1.1 mm 1.1 mm 1.1 mm

封装 TSDSON Power-56-8 PG-TDSON-8

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

ECCN代码 - EAR99 -