BSO040N03MSG、BSO040N03MSGXUMA1、FDS6682对比区别

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型号 BSO040N03MSG BSO040N03MSGXUMA1 FDS6682

描述 的OptiMOS ™ 3 M系列功率MOSFET OptiMOS™3 M-Series Power-MOSFET晶体管, MOSFET, N沟道, 16 A, 30 V, 0.0033 ohm, 10 V, 2 VFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS6682  晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 30 V, 7.5 mohm, 10 V, 1.7 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 8 8

封装 - PG-DSO-8 SOIC-8

额定电压(DC) - - 30.0 V

额定电流 - - 14.0 A

通道数 - 1 1

针脚数 - 8 8

漏源极电阻 - 3.3 mΩ 0.0075 Ω

极性 - N-Channel N-Channel

耗散功率 - 1.56 W 2.5 W

阈值电压 - 1 V 1.7 V

输入电容 - - 2.31 nF

栅电荷 - - 22.0 nC

漏源极电压(Vds) - 30 V 30 V

漏源击穿电压 - 30 V 30 V

栅源击穿电压 - - ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) - 16A 14.0 A

上升时间 9 ns 9 ns 7 ns

输入电容(Ciss) - 5700pF @15V(Vds) 2310pF @15V(Vds)

额定功率(Max) - 1.56 W 1 W

下降时间 9 ns 9 ns 16 ns

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - 55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 1.56W (Ta) 2.5W (Ta)

额定功率 - 1.56 W -

长度 - 4.9 mm 5 mm

宽度 - 3.9 mm 4 mm

高度 - 1.75 mm 1.5 mm

封装 - PG-DSO-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15

ECCN代码 - - EAR99