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1N4126D-1、JAN1N4126-1、1N4126对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N4126D-1 JAN1N4126-1 1N4126

描述 DO-35 51V 0.5W(1/2W)硅500毫安低噪声齐纳二极管 SILICON 500mA LOW NOISE ZENER DIODESSILICON ZENER DIODE LOW NOISE 6.8V THRU 100V 0.25W(1/4W), 5% TOLERANCE

数据手册 ---

制造商 M/A-Com Microsemi (美高森美) Central Semiconductor

分类 齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 DO-35 DO-35-2 DO-35

引脚数 - 2 -

耗散功率 500 mW 480 mW 250 mW

容差 - ±5 % -

正向电压 - 1.1V @200mA -

测试电流 - 0.25 mA -

稳压值 51 V 51 V -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

耗散功率(Max) - 500 mW -

封装 DO-35 DO-35-2 DO-35

长度 - 5.08 mm -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Bag Box

RoHS标准 - Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - -

工作温度 - -65℃ ~ 175℃ -