BFG19S、BFG235、MRF587对比区别

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型号 BFG19S BFG235 MRF587

描述 NPN硅晶体管RF NPN Silicon RF TransistorNPN硅RF晶体管（对于低失真宽带输出级放大器的天线和电信） NPN Silicon RF Transistor (For low-distortion broadband output amplifier stages in antenna and telecommunications)射频线NPN硅高频晶体管噪声系数3.0分贝@ 500MHz的 The RF Line NPN Silicon High Frequency Transistor Noise Figure 3.0 dB@ 500MHz

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) M/A-Com

分类 双极性晶体管

封装 SOT-223-4 SOT-223-4 244A-01

增益 - 12.5 dB 13 dB

耗散功率(Max) 1 W 2 W -

极性 - - NPN

耗散功率 - - 5 W

击穿电压(集电极-发射极) - - 17 V

最小电流放大倍数(hFE) - - 50 @50mA, 5V

封装 SOT-223-4 SOT-223-4 244A-01

产品生命周期 Obsolete Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free