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CDLL3016B、ZMY6V8-GS08对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CDLL3016B ZMY6V8-GS08

描述 DO-213AB 6.8V 1W•硅平面功率齐纳二极管•使用高额定功率的stablilizing和削波电路•齐纳二极管

数据手册 --

制造商 Microsemi (美高森美) VISHAY (威世)

分类 齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 2 2

封装 DO-213AB DO-213AB-2

容差 ±5 % -

正向电压 1.2V @200mA -

耗散功率 1000 mW 1000 mW

稳压值 6.8 V 6.8 V

正向电压(Max) 1.2V @200mA -

额定功率(Max) 1 W -

针脚数 - 2

测试电流 - 100 mA

稳压电流 - 110 mA

工作温度(Max) - 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

封装 DO-213AB DO-213AB-2

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃

产品生命周期 Active Active

包装方式 Bulk Tape & Reel (TR)

最小包装 - 1500

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free