AUIRLS3036TRL、IRLS3036PBF、IRLS3036TRLPBF对比区别

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型号 AUIRLS3036TRL IRLS3036PBF IRLS3036TRLPBF

描述 HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A，Infineon### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。INFINEON  IRLS3036PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 165 A, 60 V, 0.0019 ohm, 4.5 V, 2.5 VINFINEON  IRLS3036TRLPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 270 A, 60 V, 0.0019 ohm, 10 V, 2.5 V 新

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-263-3 TO-263-3

通道数 1 - -

极性 N-CH N-Channel N-Channel

耗散功率 380 W 380 W 380 W

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

连续漏极电流(Ids) 270A 270A 270A

上升时间 220 ns 220 ns 220 ns

输入电容(Ciss) 11210pF @50V(Vds) 11210pF @50V(Vds) 11210pF @50V(Vds)

下降时间 110 ns 110 ns 110 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 380W (Tc) 380000 mW 380W (Tc)

额定功率 - 380 W 380 W

针脚数 - 3 3

漏源极电阻 - 0.0019 Ω 0.0019 Ω

阈值电压 - 2.5 V 2.5 V

输入电容 - - 11210 pF

长度 10.67 mm 10.67 mm 10.67 mm

宽度 6.22 mm 9.65 mm 6.22 mm

高度 4.83 mm 4.83 mm 2.3 mm

封装 TO-252-3 TO-263-3 TO-263-3

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -