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IPS1031、VNP20N07-E、VNP14NV04-E对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IPS1031 VNP20N07-E VNP14NV04-E

描述 Power Switch Lo Side 18A 3Pin (3+Tab) TO-220STMICROELECTRONICS  VNP20N07-E  晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 80 V, 50 mohm, 10 V, 3 VOMNIFET 全自动保护功率 MOSFET,STMicroelectronicsOMNIFET III 系列全自动保护低侧驱动器,根据坚固性标准进行了测量并提高了可靠性。 这些固态电源开关设计用于电感性或电阻负载,尤其是汽车环境。线性电流限制 热关闭 短路保护 ESD 保护 一体式夹 ### 智能电源开关,STMicroelectronics

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 - Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220 TO-220-3 TO-220-3

额定功率 - 83 W -

输出接口数 1 1 1

输出电流 - 28 A 24 A

通道数 - 1 -

针脚数 - 3 3

漏源极电阻 - 0.05 Ω 0.035 Ω

极性 - N-Channel N-Channel

耗散功率 25000 mW 83 W 70 W

阈值电压 - 3 V 2.5 V

漏源极电压(Vds) - 80 V 55 V

漏源击穿电压 - 70.0 V 40.0 V

连续漏极电流(Ids) - 10.0 A 7.00 A

输入电压(Max) - 18 V -

输出电流(Max) - 14 A 12 A

输入数 - 1 1

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

耗散功率(Max) 25000 mW 83000 mW 74000 mW

输入电压 - 18 V -

产品系列 IPS1031 - -

工作温度(Min) -40 ℃ - 40 ℃

供电电流 - - 0.1 mA

上升时间 - - 350 ns

输出电流(Min) - - 12 A

下降时间 - - 150 ns

高度 9.02 mm 9.15 mm 4.6 mm

封装 TO-220 TO-220-3 TO-220-3

长度 - - 10.4 mm

宽度 - - 9.35 mm

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 - Tube Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 EAR99

工作温度 - - -40℃ ~ 150℃ (TJ)