FDC602P、FDC638P、FDC602P_F095对比区别
型号 FDC602P FDC638P FDC602P_F095
描述 PowerTrench® P 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorPowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关，可提高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 (Qg)、小反向恢复电荷 (Qrr) 和软性反向恢复主体二极管，有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。 最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构，可提供电荷平衡。 利用这一先进技术，这些设备的 FOM（品质因素）显著低于之前的 FOM。 PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。PowerTrench® P 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorPowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关，可提高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 (Qg)、小反向恢复电荷 (Qrr) 和软性反向恢复主体二极管，有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。 最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构，可提供电荷平衡。 利用这一先进技术，这些设备的 FOM（品质因素）显著低于之前的 FOM。 PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。MOSFET P-CH 20V 5.5A 6SSOT
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 6 6 -
封装 TSOT-23-6 TSOT-23-6 TSOT-23-6
额定电压(DC) - -20.0 V -
额定电流 - -4.50 A -
通道数 - 1 -
针脚数 6 6 -
漏源极电阻 0.035 Ω 0.039 Ω -
极性 - P-Channel -
耗散功率 1.6 W 1.6 W 1.6W (Ta)
输入电容 - 1.16 nF -
栅电荷 - 10.0 nC -
漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V
漏源击穿电压 - 20 V -
栅源击穿电压 - ±8.00 V -
连续漏极电流(Ids) - -4.50 A -
上升时间 11 ns 9 ns -
输入电容(Ciss) 1456pF @10V(Vds) 1160pF @10V(Vds) 1456pF @10V(Vds)
额定功率(Max) 800 mW 800 mW -
下降时间 37 ns 12 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
耗散功率(Max) 1.6W (Ta) 1.6 W 1.6W (Ta)
长度 3 mm 3 mm -
宽度 1.7 mm 1.7 mm -
高度 1 mm 1 mm -
封装 TSOT-23-6 TSOT-23-6 TSOT-23-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Obsolete
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 无铅 Lead Free 无铅
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -
ECCN代码 - EAR99 -