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2N1483、JANTX2N1483对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N1483 JANTX2N1483

描述 NPN硅中功率晶体管 NPN SILICON MEDIUM POWER TRANSISTORNPN硅中功率晶体管 NPN SILICON MEDIUM POWER TRANSISTOR

数据手册 --

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 - Through Hole

引脚数 - 3

封装 TO-8 TO-8

极性 NPN NPN

耗散功率 - 1.75 W

击穿电压(集电极-发射极) 40 V 40 V

集电极最大允许电流 3A 3A

工作温度(Max) - 200 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃

耗散功率(Max) - 1750 mW

封装 TO-8 TO-8

材质 - Silicon

产品生命周期 Active Active

包装方式 - Tray

RoHS标准 - Non-Compliant