CY7C1415BV18-250BZI、CY7C1415KV18-250BZC、CY7C1415KV18-250BZXC对比区别

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型号 CY7C1415BV18-250BZI CY7C1415KV18-250BZC CY7C1415KV18-250BZXC

描述 36兆位QDR⑩ - II SRAM 4字突发架构 36-Mbit QDR⑩-II SRAM 4-Word Burst Architecture36 - Mbit的QDR ？ II SRAM 4字突发架构 36-Mbit QDR? II SRAM 4-Word Burst ArchitectureCY7C1415KV18 系列 36M (1M x 36) QDR® II SRAM 四字突发架构

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 存储芯片RAM芯片RAM芯片

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 165 165 165

封装 FBGA-165 FBGA-165 FBGA-165

存取时间 0.45 ns - -

工作温度(Max) 85 ℃ 70 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ 0 ℃ 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V

供电电流 - - 640 mA

位数 - 36 36

存取时间(Max) - 0.45 ns 0.45 ns

时钟频率 - 250 MHz -

高度 0.89 mm 0.89 mm -

封装 FBGA-165 FBGA-165 FBGA-165

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 - Tray Tray

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead PB free Lead Free

ECCN代码 - 3A991.b.2.a 3A991.b.2.a