CY7C25682KV18-400BZC、CY7C25682KV18-400BZXC、IS61DDPB24M18A-400M3L对比区别

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型号 CY7C25682KV18-400BZC CY7C25682KV18-400BZXC IS61DDPB24M18A-400M3L

描述 72兆位的DDR II SRAM双字突发架构（ 2.5周期读延迟）与ODT 72-Mbit DDR II SRAM Two-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) with ODTCY7C25682 72 Mb (4M x 18) 0.45ns 1.8 V 单端口 同步 SRAM - FBGA-165DDR SRAM, 4MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17MM, 1.4MM HEIGHT, LEAD FREE, LFBGA-165

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 存储芯片存储芯片存储芯片

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 LBGA-165 FBGA-165 LBGA-165

引脚数 165 165 -

电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V 1.71V ~ 1.89V

供电电流 - 590 mA -

时钟频率 - 400 MHz -

位数 - 18 -

存取时间 - 0.45 ns -

存取时间(Max) - 0.45 ns -

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ -

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ -

封装 LBGA-165 FBGA-165 LBGA-165

高度 0.89 mm 0.89 mm -

工作温度 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 Tray Tray Tray

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free 无铅

ECCN代码 - 3A991.b.2.a -