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02013J0R8PBSTR、02013J0R8PBWTR、02013J0R8YBWTR对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 02013J0R8PBSTR 02013J0R8PBWTR 02013J0R8YBWTR

描述 薄膜技术 Thin-Film Technology薄膜技术 Thin-Film TechnologyFilm Capacitor, Silicon Dioxide And Nitride, 25V, 2.5% +Tol, 2.5% -Tol, -/+30ppm/Cel TC, 0.0000008uF, Surface Mount, 0201, CHIP

数据手册 ---

制造商 AVX (艾维克斯) AVX (艾维克斯) AVX (艾维克斯)

分类 薄膜电容薄膜电容

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

封装 0201 0201 -

引脚数 2 - -

额定电压(DC) 25.0 V 25.0 V -

电容 0.8 pF 0.80 pF -

容差 ±0.02 pF ±0.02 pF -

额定电压 25 V 25 V -

绝缘电阻 10 GΩ - -

工作温度(Max) 125 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

长度 600 µm 600 µm -

宽度 325 µm 325 µm -

高度 0.225 mm 275 µm -

封装 0201 0201 -

工作温度 -55℃ ~ 125℃ -55℃ ~ 125℃ -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) -

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant -

含铅标准 Lead Free Contains Lead -