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1N6173A、JANTX1N6173A、1N6173A.TR对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N6173A JANTX1N6173A 1N6173A.TR

描述 Diode TVS Single Bi-Dir 152V 1.5kW 2PinDiode TVS Single Bi-Dir 152V 1500W 2Pin Case GTrans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 152V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon

数据手册 ---

制造商 Semtech Corporation Semtech Corporation Semtech Corporation

分类 TVS二极管TVS二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

封装 Axial Axial -

引脚数 - 2 -

额定功率 1500 W 1500 W -

击穿电压 190 V 190 V -

耗散功率 1.5 kW - -

钳位电压 273 V 273 V -

最小反向击穿电压 180 V 190 V -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) 65 ℃ -65 ℃ -

测试电流 - 5 mA -

脉冲峰值功率 - 1500 W -

工作结温 - -65℃ ~ 175℃ -

封装 Axial Axial -

工作温度 -65℃ ~ 175℃ -65℃ ~ 175℃ -

产品生命周期 Active Active Obsolete

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant -

含铅标准 Lead Free Lead Free -