SI2301CDS-T1-E3、SI2351DS-T1-E3、IRLML2246TRPBF对比区别

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型号 SI2301CDS-T1-E3 SI2351DS-T1-E3 IRLML2246TRPBF

描述 VISHAY  SI2301CDS-T1-E3  晶体管, MOSFET, P沟道, -3.1 A, -20 V, 0.11 ohm, -2.5 V, -400 mVVISHAY  SI2351DS-T1-E3  晶体管, MOSFET, P沟道, -2.8 A, -20 V, 0.092 ohm, -4.5 V, -600 mVINFINEON  IRLML2246TRPBF  晶体管, MOSFET, P沟道, -2.6 A, -20 V, 0.09 ohm, -4.5 V, -1.1 V

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-236-3 TO-236 SOT-23-3

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.11 Ω 0.092 Ω 0.09 Ω

极性 P-Channel P-Channel P-CH

耗散功率 1.6 W 1 W 1.3 W

上升时间 35 ns - 7.7 ns

下降时间 10 ns - 16 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

额定功率 - - 1.3 W

通道数 - - 1

阈值电压 - - 1.1 V

输入电容 - - 220 pF

漏源极电压(Vds) - -20.0 V 20 V

漏源击穿电压 - - 20 V

连续漏极电流(Ids) - -3.00 A 2.6A

输入电容(Ciss) - - 220pF @16V(Vds)

额定功率(Max) - - 1.3 W

耗散功率(Max) - - 1.3W (Ta)

封装 TO-236-3 TO-236 SOT-23-3

长度 - - 3.04 mm

宽度 - - 1.4 mm

高度 - - 1.02 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 2015/12/17

产品生命周期 - - Active

包装方式 - - Tape & Reel (TR)