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4N32、4N32M对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 4N32 4N32M

描述 光耦合器/光电耦合器FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  4N32M  光电耦合器, 达林顿, 5.3KV, DIP-6

数据手册 --

制造商 VISHAY (威世) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 光耦合器/光隔离器光耦合器/光隔离器

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 6 6

封装 PDIP-6 DIP-6

输入电压(DC) - 1.20 V

输出电压 30.0 V 30.0 V

电路数 - 1

通道数 1 1

针脚数 6 6

正向电压 1.25 V 1.2 V

输入电流 50.0 mA 80.0 mA

耗散功率 0.25 W 250 mW

隔离电压 5300 Vrms 5.3 kV

正向电流 60 mA 80 mA

输出电压(Max) 30 V 30 V

输入电流(Min) 60 mA 80 mA

击穿电压 6 V 3 V

正向电压(Max) 1.5 V 1.5 V

正向电流(Max) 60 mA 80 mA

工作温度(Max) 100 ℃ 100 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 250 mW 250 mW

额定功率 0.25 W -

上升时间 0.005 ms -

下降时间 0.1 ms -

高度 - 5.08 mm

封装 PDIP-6 DIP-6

工作温度 -55℃ ~ 100℃ -40℃ ~ 100℃

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tube Each

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 EAR99