IRLU2905、IRLU2905PBF、NTD5865NL-1G对比区别

高亮显示差异参数

型号 IRLU2905 IRLU2905PBF NTD5865NL-1G

描述 IPAK N-CH 55V 42AHexfet 55 V 42 A 0.027 Ohm Mosfet 带逻辑电平 栅极驱动 - I-Pak34A,60V,N沟道MOSFET

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole - Through Hole

引脚数 - 3 3

封装 TO-251-3 TO-251-3 TO-251-3

极性 N-CH N-CH N-CH

耗散功率 110W (Tc) 110 W 71 W

漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 60 V

连续漏极电流(Ids) 42A 42A 46A

上升时间 - 84 ns 12.4 ns

输入电容(Ciss) 1700pF @25V(Vds) 1700pF @25V(Vds) 1400pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - - 52 W

下降时间 - 15 ns 4.4 ns

工作温度(Max) - 175 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 110W (Tc) 110000 mW 71W (Tc)

额定功率 - 69 W -

封装 TO-251-3 TO-251-3 TO-251-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ)

材质 - Silicon -

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 - Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

ECCN代码 - - EAR99