M29W160EB70ZA6、M29W160EB70ZA6E、M29W160EB7AZA6F对比区别

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型号 M29W160EB70ZA6 M29W160EB70ZA6E M29W160EB7AZA6F

描述 NOR Flash Parallel 3V/3.3V 16Mbit 2M/1M x 8Bit/16Bit 70ns 48Pin TFBGA TrayNOR Flash Parallel 3V/3.3V 16Mbit 2M/1M x 8Bit/16Bit 70ns 48Pin TFBGA Tray16M NOR Flash Memory

数据手册 ---

制造商 Micron (镁光) Micron (镁光) Micron (镁光)

分类 存储芯片Flash芯片

引脚数 48 48 48

封装 BGA TFBGA-48 BGA

安装方式 - Surface Mount -

封装 BGA TFBGA-48 BGA

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tray - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - 无铅 -

位数 8, 16 - -

存取时间(Max) 70 ns 70 ns -

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ -

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -

供电电流 - 10 mA -

存取时间 - 70 ns -

内存容量 - 2000000 B -

电源电压 - 2.7V ~ 3.6V -

工作温度 - -40℃ ~ 85℃ (TA) -