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APT5014BFLLG、APT5014BLLG、APT5014BLL对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 APT5014BFLLG APT5014BLLG APT5014BLL

描述 Trans MOSFET N-CH 500V 35A 3Pin(3+Tab) TO-247功率半导体功率模块射频功率MOSFET Power Semiconductors Power Modules RF Power MOSFETsTO-247 N-CH 500V 35A

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 -

封装 TO-247 TO-247-3 TO-247

额定电压(DC) 500 V 500 V -

额定电流 35.0 A 35.0 A -

极性 - N-CH N-CH

耗散功率 403 W 403 W -

输入电容 3.26 nF 3.26 nF -

栅电荷 72.0 nC 72.0 nC -

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V

连续漏极电流(Ids) 35.0 A 35.0 A 35A

上升时间 6 ns 6 ns -

输入电容(Ciss) 3261pF @25V(Vds) 3261pF @25V(Vds) -

下降时间 3 ns 3 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 403000 mW 403W (Tc) 403W (Tc)

额定功率(Max) 403 W - -

封装 TO-247 TO-247-3 TO-247

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -