MAP6KE43A、MAP6KE43AE3、P6KE43AT对比区别

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型号 MAP6KE43A MAP6KE43AE3 P6KE43AT

描述 36.8V 600W36.8V 600WTrans Voltage Suppressor Diode, 600W, 36.8V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, T-18, 2 PIN

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 TVS二极管TVS二极管

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 2 2 -

封装 T-18 T-18 -

钳位电压 59.3 V 59.3 V -

最大反向电压（Vrrm） 36.8V 36.8V -

测试电流 1 mA 1 mA -

脉冲峰值功率 600 W 600 W -

最小反向击穿电压 40.9 V 40.9 V -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -

工作结温 -65℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃ -

封装 T-18 T-18 -

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bag Bag -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free -