FZT849TA、MMJT9410G、ZX5T849GTA对比区别

高亮显示差异参数

型号 FZT849TA MMJT9410G ZX5T849GTA

描述 三极管双极功率晶体管NPN硅 Bipolar Power Transistors NPN SiliconDIODES INC.  ZX5T849GTA  单晶体管 双极, NPN, 30 V, 140 MHz, 1.6 W, 7 A, 200 hFE

数据手册 ---

制造商 Diodes (美台) ON Semiconductor (安森美) Diodes (美台)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 4 - 4

封装 SOT-223 SOT-223 TO-261-4

额定电压(DC) 30.0 V - 30.0 V

额定电流 7.00 A - 7.00 A

针脚数 - - 4

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 3 W - 1.6 W

击穿电压(集电极-发射极) 30 V 30 V 30 V

集电极最大允许电流 7A 3A 7A

最小电流放大倍数(hFE) 100 @1A, 1V - 100 @1A, 1V

额定功率(Max) 3 W - 3 W

直流电流增益(hFE) - - 200

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 3000 mW - 3000 mW

频率 100 MHz - -

集电极击穿电压 80.0 V - -

封装 SOT-223 SOT-223 TO-261-4

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 Silicon - -

产品生命周期 Active Obsolete Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 - EAR99