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PZM6.8NB2A,115、PLVA2668A,215、PZM6.8NB2T/R对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PZM6.8NB2A,115 PLVA2668A,215 PZM6.8NB2T/R

描述 MPAK 6.79V 220mWTO-236AB 6.8V 0.25W(1/4W)Zener Diode

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) Nexperia (安世)

分类 齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 -

容差 ±2 % - -

正向电压 1.1V @100mA 900mV @10mA -

耗散功率 220 mW 250 mW -

稳压值 6.8 V 6.8 V -

正向电压(Max) 1.1V @100mA 900mV @10mA -

额定功率(Max) 220 mW 250 mW -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 -

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -