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IPU60R1K4C6AKMA1、IPU60R1K4C6BKMA1对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IPU60R1K4C6AKMA1 IPU60R1K4C6BKMA1

描述 Trans MOSFET N-CH 650V 3.2A 3Pin IPAK TubeTO-251 N-CH 650V 3.2A

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 3 -

封装 TO-251-3 TO-251-3

耗散功率 28.4W (Tc) 28.4W (Tc)

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V

上升时间 7 ns 7 ns

输入电容(Ciss) 200pF @100V(Vds) 200pF @100V(Vds)

下降时间 20 ns 20 ns

工作温度(Max) 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -

耗散功率(Max) 28.4W (Tc) 28.4W (Tc)

极性 - N-CH

阈值电压 - 3 V

连续漏极电流(Ids) - 3.2A

长度 6.73 mm -

宽度 2.38 mm -

高度 6.22 mm -

封装 TO-251-3 TO-251-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 155℃ (TJ)

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free