IRF9321PBF、SI4483ADY-T1-GE3、SI4425BDY-T1-E3对比区别

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型号 IRF9321PBF SI4483ADY-T1-GE3 SI4425BDY-T1-E3

描述 INFINEON  IRF9321PBF  晶体管, MOSFET, P沟道, -15 A, -30 V, 5.9 mohm, -10 V, -1.8 VVISHAY  SI4483ADY-T1-GE3  晶体管, MOSFET, P沟道, -19.2 A, -30 V, 0.0127 ohm, -4.5 V, -2.1 VVISHAY  SI4425BDY-T1-E3  晶体管, MOSFET, P沟道, -8.8 A, -30 V, 0.01 ohm, -10 V, -400 mV

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

针脚数 8 8 8

漏源极电阻 0.0059 Ω 0.0127 Ω 0.01 Ω

极性 P-Channel P-Channel P-Channel

耗散功率 2.5 W 5.9 W 1.5 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

漏源极电压(Vds) 30 V - -30.0 V

连续漏极电流(Ids) 15A - -11.4 A

上升时间 - - 13 ns

下降时间 - - 53 ns

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

额定功率 1.5 W - -

阈值电压 1.8 V - -

输入电容(Ciss) 2590pF @25V(Vds) - -

耗散功率(Max) 2.5W (Ta) - -

长度 4.98 mm 4.9 mm 5 mm

宽度 3.99 mm 3.9 mm 3.9 mm

高度 1.57 mm 1.75 mm 1.55 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

产品生命周期 Not Recommended for New Designs - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/06/15 2015/06/15

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃