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7164L25TDB、IDT7164L25TDB对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 7164L25TDB IDT7164L25TDB

描述 5V 8K x 8 Asynchronous Static RAMCMOS静态RAM 64K ( 8K ×8位) CMOS STATIC RAM 64K (8K x 8-BIT)

数据手册 --

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 RAM芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 28 -

封装 CDIP-28 CDIP

存取时间 25 ns -

工作温度(Max) 125 ℃ -

工作温度(Min) 55 ℃ -

电源电压(Max) 5.5 V -

电源电压(Min) 4.5 V -

长度 37.72 mm -

宽度 7.62 mm -

高度 3.56 mm -

封装 CDIP-28 CDIP

厚度 3.56 mm -

工作温度 -55℃ ~ 125℃ -

产品生命周期 Active Unknown

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant -

含铅标准 Contains Lead -

ECCN代码 - 3A001