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IRFU4105Z、IRFU4105ZPBF、U410对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFU4105Z IRFU4105ZPBF U410

描述 IPAK N-CH 55V 30AINFINEON  IRFU4105ZPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 55 V, 24.5 mohm, 10 V, 4 VPower Field-Effect Transistor, 30A I(D), 55V, 0.0245ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA, LEAD FREE, PLASTIC, IPAK-3

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

封装 TO-251-3 TO-251-3 -

引脚数 - 3 -

极性 N-CH N-CH -

耗散功率 48W (Tc) 48 W -

漏源极电压(Vds) 55 V 55 V -

连续漏极电流(Ids) 30A 30A -

输入电容(Ciss) 740pF @25V(Vds) 740pF @25V(Vds) -

耗散功率(Max) 48W (Tc) 48W (Tc) -

额定功率 - 48 W -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 0.0245 Ω -

阈值电压 - 4 V -

上升时间 - 40 ns -

额定功率(Max) - 48 W -

下降时间 - 24 ns -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

封装 TO-251-3 TO-251-3 -

长度 - 6.6 mm -

宽度 - 2.3 mm -

高度 - 6.1 mm -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

材质 - Silicon -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Tube -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -