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DS1-12D、DSA2-12A、DSA1-12D对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DS1-12D DSA2-12A DSA1-12D

描述 DIODE STD 1200V 2.3A SIPDiode 1.2kV 3.6A 2PinDIODE AVALANCHE 1200V 2.3A 2SIP

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 TVS二极管TVS二极管TVS二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - 2 2

封装 Radial DO-13-2 Radial

正向电压 1.3V @7A 1.25V @7A 1.34V @7A

正向电压(Max) 1.3V @7A 1.25V @7A 1.34V @7A

工作温度(Max) - 180 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃ -40 ℃

宽度 - 8 mm -

封装 Radial DO-13-2 Radial

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Bulk Bulk Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free