SIR640ADP-T1-GE3、SIR640DP-T1-GE3对比区别
型号 SIR640ADP-T1-GE3 SIR640DP-T1-GE3
描述 VISHAY SIR640ADP-T1-GE3 MOSFET Transistor, N Channel, 100A, 40V, 0.00165Ω, 10V, 2V NewVISHAY SIR640DP-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 40 V, 0.0014 ohm, 10 V, 1 V
数据手册 --
制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8
封装 SO-8 SOIC
漏源极电阻 0.00165 Ω 0.0014 Ω
极性 N-Channel N-Channel
耗散功率 104 W 104 W
阈值电压 2 V 1 V
漏源极电压(Vds) 40 V 40 V
输入电容(Ciss) 4240pF @20V(Vds) -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -
耗散功率(Max) 6250 mW -
针脚数 - 8
高度 1.07 mm -
封装 SO-8 SOIC
包装方式 Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 -