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APT8011JFLL、APT8011JLL对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 APT8011JFLL APT8011JLL

描述 功率MOS 7TM是新一代低损耗,高电压,N沟道增强型功率MOSFET 。 Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS.Trans MOSFET N-CH 800V 51A 4Pin SOT-227

数据手册 --

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Screw Screw

引脚数 4 4

封装 SOT-227 SOT-227

额定电压(DC) 800 V 800 V

额定电流 51.0 A 51.0 A

耗散功率 - 694 W

输入电容 9.48 nF 9.48 nF

栅电荷 650 nC 650 nC

漏源极电压(Vds) 800 V 800 V

连续漏极电流(Ids) 51.0 A 51.0 A

上升时间 23 ns 23 ns

输入电容(Ciss) 9480pF @25V(Vds) 9480pF @25V(Vds)

下降时间 19 ns 19 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 694000 mW 694000 mW

极性 N-CH -

封装 SOT-227 SOT-227

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free