IRF7490PBF、STS4NF100、IRF7490TRPBF对比区别

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型号 IRF7490PBF STS4NF100 IRF7490TRPBF

描述 Trans MOSFET N-CH 100V 5.4A 8Pin SOIC TubeN沟道100V - 0.065欧姆 - 4A SO- 8 STripFET⑩ II功率MOSFET N-CHANNEL 100V - 0.065 ohm - 4A SO-8 STripFET⑩ II POWER MOSFET晶体管, MOSFET, N沟道, 5.4 A, 100 V, 0.033 ohm, 10 V, 4 V

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SO-8

额定电压(DC) 100 V 100 V -

额定电流 5.40 A 4.00 A -

漏源极电阻 39 mΩ 65.0 mΩ 39 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 2.5 W 2.5 W 2.5 W

产品系列 IRF7490 - -

输入电容 1720pF @25V - 1720 pF

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

漏源击穿电压 100 V 100 V 100 V

连续漏极电流(Ids) 5.40 A 4.00 A 5.4A

上升时间 4.20 ns 45 ns 4.2 ns

输入电容(Ciss) 1720pF @25V(Vds) 870pF @25V(Vds) 1720pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 2.5 W 2.5 W 2.5 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

栅源击穿电压 - ±20.0 V -

下降时间 - 17 ns 11 ns

耗散功率(Max) - 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)

通道数 - - 1

针脚数 - - 8

阈值电压 - - 4 V

长度 5 mm - 5 mm

高度 1.5 mm - 1.75 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SO-8

宽度 - - 3.9 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active

包装方式 Rail, Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

ECCN代码 - EAR99 -