FQA12N60、FQP12N60、FQP12N60C对比区别

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型号 FQA12N60 FQP12N60 FQP12N60C

描述 600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFET600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFETFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQP12N60C  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 12 A, 600 V, 530 mohm, 10 V, 4 V

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管中高压MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-3-3 TO-220-3 TO-220-3

引脚数 - - 3

额定电压(DC) 600 V 600 V 600 V

额定电流 12.0 A 10.5 A 12.0 A

漏源极电阻 700 mΩ 700 mΩ 530 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 240 W 180 W 225 W

输入电容 - 2.29 nF 2.29 nF

栅电荷 - 63.0 nC 63.0 nC

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V

漏源击穿电压 600 V 600 V 600 V

栅源击穿电压 ±30.0 V ±30.0 V ±30.0 V

连续漏极电流(Ids) 12.0 A 12.0 A 12.0 A

上升时间 115 ns 115 ns -

输入电容(Ciss) 1900pF @25V(Vds) 1900pF @25V(Vds) 2290pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 240 W 180 W 225 W

下降时间 85 ns 85 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 240W (Tc) 180W (Tc) 225W (Tc)

针脚数 - - 3

阈值电压 - - 4 V

长度 16.2 mm 10.67 mm -

宽度 5 mm 4.7 mm -

高度 20.1 mm 16.3 mm -

封装 TO-3-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Unknown Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15

ECCN代码 - - EAR99