IRLD110PBF、IRLD120PBF、IRFD110PBF对比区别

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型号 IRLD110PBF IRLD120PBF IRFD110PBF

描述 功率MOSFET Power MOSFET功率MOSFET Power MOSFET功率MOSFET Power MOSFET

数据手册 ---

制造商 VISHAY (威世) VISHAY (威世) VISHAY (威世)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 4 4 4

封装 DIP-4 DIP-4 DIP-4

额定电压(DC) 100 V 100 V 100 V

额定电流 1.00 A 1.30 A 1.00 A

额定功率 1.3 W 1.3 W 1.3 W

针脚数 4 4 4

漏源极电阻 0.54 Ω 270 mΩ 0.54 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 1.3 W 1.3 W 1.3 W

阈值电压 2 V 2 V 4 V

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

漏源击穿电压 100 V 100 V 100 V

栅源击穿电压 - - ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 1.00 A 1.30 A 1.00 A

上升时间 47 ns 64 ns 16 ns

输入电容(Ciss) 250pF @25V(Vds) 490pF @25V(Vds) 180pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 1.3 W 1.3 W 1.3 W

下降时间 17 ns 27 ns 9.4 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 1.3 W 1.3 W 1.3 W

长度 5 mm 5 mm 5 mm

宽度 6.29 mm 6.29 mm 6.29 mm

高度 3.37 mm 3.37 mm 3.37 mm

封装 DIP-4 DIP-4 DIP-4

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) - -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

最小包装 2500 2500 2500

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC