IXTP180N10T、IXTQ180N10T、IXTH180N10T对比区别

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型号 IXTP180N10T IXTQ180N10T IXTH180N10T

描述 N沟道 100V 180ATrans MOSFET N-CH 100V 180A 3Pin(3+Tab) TO-3PN沟道 100V 180A

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-220-3 TO-3-3 TO-247-3

引脚数 3 - -

通道数 1 - 1

漏源极电阻 6.4 mΩ - 6.4 mΩ

极性 N-Channel - N-CH

耗散功率 480 W 480W (Tc) 480 W

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

漏源击穿电压 100 V - 100 V

连续漏极电流(Ids) 180 A - 180A

上升时间 54 ns - 54 ns

输入电容(Ciss) 6900pF @25V(Vds) 6900pF @25V(Vds) 6900pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 480 W - 480 W

下降时间 31 ns - 31 ns

工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - 55 ℃

耗散功率(Max) 480W (Tc) 480W (Tc) 480W (Tc)

长度 10.66 mm - 16.26 mm

宽度 4.83 mm - 5.3 mm

高度 9.15 mm - 21.46 mm

封装 TO-220-3 TO-3-3 TO-247-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free