IXTA220N04T2、IXTP220N04T2对比区别

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型号 IXTA220N04T2 IXTP220N04T2

描述 N-沟道 40 V 220 A 3.5 mΩ 表面贴装 TrenchT2 功率 Mosfet - TO-263N沟道 40V 220A

数据手册 --

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Through Hole

引脚数 3 3

封装 TO-263-3 TO-220-3

耗散功率 360 W 360W (Tc)

上升时间 21 ns 21 ns

输入电容(Ciss) 6820pF @25V(Vds) 6820pF @25V(Vds)

下降时间 21 ns 21 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 360000 mW 360W (Tc)

极性 - N-CH

漏源极电压(Vds) - 40 V

连续漏极电流(Ids) - 220A

额定功率(Max) - 360 W

高度 4.83 mm -

封装 TO-263-3 TO-220-3

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ)