IRF2805PBF、IRF350、AUIRF2805对比区别

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型号 IRF2805PBF IRF350 AUIRF2805

描述 N 通道功率 MOSFET 60A 至 79A，InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 400V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AAINFINEON  AUIRF2805  晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 55 V, 0.0039 ohm, 10 V, 2 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Motorola (摩托罗拉) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管FET驱动器MOS管

安装方式 Through Hole - Through Hole

引脚数 3 - 3

封装 TO-220-3 - TO-220-3

额定功率 330 W - 330 W

针脚数 3 - 3

漏源极电阻 0.0047 Ω - 0.0039 Ω

极性 N-Channel - N-Channel

耗散功率 330 W - 330 W

阈值电压 4 V - 2 V

漏源极电压(Vds) 55 V - 55 V

连续漏极电流(Ids) 75A - 175A

上升时间 120 ns - 120 ns

输入电容(Ciss) 5110pF @25V(Vds) - 5110pF @25V(Vds)

下降时间 110 ns - 110 ns

工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 330W (Tc) - 330W (Tc)

输入电容 5110 pF - -

漏源击穿电压 55 V - -

长度 10.67 mm - 10.66 mm

宽度 4.83 mm - 4.82 mm

高度 16.51 mm - 16.51 mm

封装 TO-220-3 - TO-220-3

材质 Silicon - Silicon

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) - -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tube - Rail, Tube

RoHS标准 RoHS Compliant - RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - 无铅

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17