IPS2041RTRLPBF、VND7NV04-E、VND5N07-E对比区别

高亮显示差异参数

型号 IPS2041RTRLPBF VND7NV04-E VND5N07-E

描述 Power Switch Lo Side 1.4A 3Pin(2+Tab) DPAK T/RSTMICROELECTRONICS  VND7NV04-E  晶体管, MOSFET, N沟道, 3.5 A, 55 V, 60 mohm, 5 V, 2.5 VOMNIFET 全自动保护功率 MOSFET，STMicroelectronicsOMNIFET III 系列全自动保护低侧驱动器，根据坚固性标准进行了测量并提高了可靠性。 这些固态电源开关设计用于电感性或电阻负载，尤其是汽车环境。线性电流限制 热关闭 短路保护 ESD 保护 一体式夹 ### 智能电源开关，STMicroelectronics

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 FET驱动器MOS管电源管理

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

输出接口数 1 1 1

输出电流 1.4 A 6 A 7 A

耗散功率 1 W 60 W 60 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ - -40 ℃

耗散功率(Max) 1000 mW 60000 mW 60000 mW

电源电压 4V ~ 5.5V - -

输入电压 4V ~ 5.5V - 18 V

供电电流 - 0.1 mA 0.25 mA

通道数 - 1 1

漏源极电阻 - 0.06 Ω 0.2 Ω

极性 - N-Channel N-Channel

阈值电压 - 2.5 V 55 V

漏源极电压(Vds) - 55 V 70 V

漏源击穿电压 - 40.0 V 70.0 V

连续漏极电流(Ids) - 6.00 A 5.00 A

输入电压(Max) - - 18 V

输出电流(Max) - 6 A 3.5 A

输出电流(Min) - 6 A 5 A

输入数 - 1 1

额定功率 - 60 W -

输出电压 - 40 V -

针脚数 - 3 -

高度 2.39 mm 2.4 mm 2.4 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

长度 - - 6.6 mm

宽度 - - 6.2 mm

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tube

产品生命周期 - Active Active

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

工作温度 - -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)

ECCN代码 - EAR99 EAR99