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MT47H128M8SH-25E IT:M、MT47H128M8CF-25E IT:H、MT47H128M8CF-3 IT:H对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MT47H128M8SH-25E IT:M MT47H128M8CF-25E IT:H MT47H128M8CF-3 IT:H

描述 DRAM Chip DDR2 SDRAM 1G-Bit 128M x 8 1.8V 60Pin FBGA128MX8 DDR2 SDRAM PLASTIC IND TEMP PBF FBGA 1.8V128MX8 DDR2 SDRAM PLASTIC IND TEMP PBF FBGA 1.8V

数据手册 ---

制造商 Micron (镁光) Micron (镁光) Micron (镁光)

分类 RAM芯片RAM芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 60 60 60

封装 TFBGA-60 FBGA-60 TFBGA-60

供电电流 120 mA 125 mA -

时钟频率 400 MHz - -

位数 8 8 8

存取时间 400 ps - -

存取时间(Max) 0.4 ns 0.4 ns 0.45 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V

工作电压 - 1.80 V 1.80 V

封装 TFBGA-60 FBGA-60 TFBGA-60

高度 - 0.8 mm 0.8 mm

工作温度 -40℃ ~ 95℃ -40℃ ~ 95℃ -40℃ ~ 95℃

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Bulk Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free

ECCN代码 EAR99 - -