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BF998WR、BF991,215、BF998对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BF998WR BF991,215 BF998

描述 N沟道双栅极的MOS- FET的 N-channel dual-gate MOS-FETBF991 系列 20 V 20 mA N沟道 双栅 MOSFET - SOT143BNXP  BF998  晶体管, 射频FET, 12 V, 30 mA, 200 mW, SOT-143B

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 4 4

封装 - TO-253-4 SOT-143

针脚数 - 4 4

极性 - N-Channel N-Channel

耗散功率 - 200 mW 200 mW

漏源极电压(Vds) - 20 V 12 V

连续漏极电流(Ids) - 20.0 mA 30.0 mA

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) - 200 mW 200 mW

频率 - 100 MHz -

额定电流 - 20 mA -

增益 - 29 dB -

测试电流 - 10 mA -

额定电压 - 20 V -

长度 - 3 mm 3 mm

宽度 - 1.4 mm 1.4 mm

高度 - 1 mm 1 mm

封装 - TO-253-4 SOT-143

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 - Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2018/06/27

工作温度 - -65℃ ~ 150℃ -